三星垄断走开!中国怒砸180亿造内存

三星垄断走开!中国怒砸180亿造内存

这一年多来内存价格的疯涨让太多人感到心痛,而问题的根源在于DRAM内存颗粒掌握在韩国三星、SK海力士和美国美光等极少数巨头手中,合计份额超过90%,很容易形成垄断,下游和市场完全没有任何周旋余地。

如今,中国正在各个半导体领域切入自己的力量,破除国外垄断,包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等,DRAM内存也是时候了。

中国芯片设计公司兆易创新近日发布公告,宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司(简称合肥产投)于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。

双方约定,将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆(12英寸)、19nm工艺存储器的研发项目,包括DRAM内存颗粒。

项目总预算约为180亿元人民币,兆易创新与合肥产投按照1:4的比例负责筹集。

合作目标是在2018年12月31日前研发成功,实现产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例)不低于10%。

不过兆易创新强调,本项目研发阶段设计产能较小,为2000-3000片晶圆每月,尚无法达到批量生产标准,而且中国大陆目前无DRAM产业技术积累,再加上人才引进、知识产权和设备进口等因素影响,研发能否成功存在不确定性。

即使研发成功,良率能否提升、量产能否实现,也仍然存在较大不确定性,从研发成功至量产并形成销售需要长达几年时间。

研发成功后,双方将就提升良率、扩大产能进行进一步探讨。

目前,三星DRAM已大规模采用20nm工艺,并率先量产18nm工艺。SK海力士则以25nm工艺为主,已导入21nm工艺。美光目前以30nm工艺为主,20nm工艺进入良率提升阶段。

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